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　　在半导体 CVD(化学气相堆积)工艺中，氢气既是重要复原气体(如硅烷复原制备多晶硅薄膜)，又是潜在安全危险危险 —— 其爆破极限宽(4.0%-75.6%)、分散速度快，且 CVD 工艺的低压 / 高温环境易导致氢气走漏，传统检测仪常因 “抗搅扰弱、量程适配差” 难以满意需求。近来，深国安推出的氢气检测仪适配半导体 CVD 工艺监测新计划，凭仗 “高精度 + 全场景适配” 优势引发职业重视，已在多家巨子半导体等企业的12英寸晶圆产线落地使用。

　　针对 CVD 工艺 “低压环境数据漂移、多气体搅扰误报、高温场景稳定性差” 三大痛点，SGA-501氢气检测仪新计划从传感技能、结构规划、算法优化三方面完结打破：

　　双传感复合监测技能：交融 “催化焚烧 + 热导式” 双传感模块，掩盖 0-100% LEL(爆破极限监测)与 99.999%-100%(高纯氢气纯度检测)全量程。其间催化焚烧模块呼应时刻≤1.5 秒，可快速捕捉 CVD 腔体走漏的微量氢气(低至 0.1% LEL);热导式模块分辨率达 0.001%，精准监测作为载气的高纯氢气纯度，保证薄膜堆积质量。

　　全环境抗搅扰规划：选用 316L 不锈钢电解抛光外壳(契合 Class 5 洁净规范)，内壁涂覆 PTFE 防腐蚀涂层，耐受 CVD 工艺中的硅烷、氨气等腐蚀性气体腐蚀;内置温湿度补偿算法，在 - 20℃~80℃温度区间、0-95% RH 湿度环境下，检测差错≤±2% FS，彻底处理低压 CVD(LPCVD)场景的数据漂移问题。

　　智能联动操控算法：自主研制的 “浓度趋势预判算法” 可依据氢气浓度改变斜率，提早 30 秒预警潜在走漏危险(如浓度以 0.5% LEL / 分钟增速上升时触发预警);支撑与 CVD 设备 PLC 体系、腔体真空泵无缝联动，当氢气浓度超 5% LEL 时，主动切断气源并发动氮气吹扫，构成 “监测 - 预警 - 处置” 闭环。

　　SGA-501氢气检测仪新计划经过 “模块化组合 + 定制化校准”，完结 CVD 工艺从气源供给到尾气处理的全流程适配：

　　在氢气钢瓶或管道运送环节，布置固定式热导式氢气检测仪，实时监测氢气纯度(需≥99.9995%)。当纯度低于阈值时，当即切换至备用气源，防止因氢气纯度缺乏导致薄膜呈现针孔、色差等缺点 —— 在多晶硅薄膜堆积中，氢气纯度每下降 0.001%，薄膜电阻率误差或许添加 5%，该计划可将纯度动摇操控在 0.0005% 以内。

　　腔体法兰、阀门等易走漏部位，设备壁挂式双传感氢气检测仪，0-100% LEL 量程实时监测走漏状况。设备是选用 “延伸线探头” 规划，探头可深化腔体密封缝隙处，间隔走漏点≤30cm，保证微量走漏(如 0.5% LEL)不被遗失;一起装备声光报警器(音量≥95dB，赤色 LED 闪耀)，高噪音车间还支撑振荡报警，保证操作人员及时发觉。

　　CVD 工艺尾气中氢气与其他气体混合后，需经过管道式氢气检测仪监测浓度(0-50% LEL)。当浓度超 10% LEL 时，主动发动尾气焚烧设备，防止直接排放引发安全危险;检测仪还可联动排风机，依据氢气浓度动态调理排风速度，平衡安全与能耗。

　　提高出产安全性：经过快速呼应与提早预警，将 CVD 工艺氢气走漏的处置时刻缩短至 30 秒内，走漏事端发生率下降 80% 以上，契合 SEMI S8 安全规范;

　　保证薄膜质量：高纯氢气纯度监测精度提高至 0.001%，可削减因气源纯度问题导致的晶圆作废率，在 12 英寸晶圆产线中，单条产线 万元;

　　下降运维本钱：设备均匀无故障运转时刻(MTBF)达 8000 小时，传感器寿数延伸至 2 年，较传统设备运维频率下降 50%，一起支撑长途校准(经过 4G/LoRa 传输)，无需停机就可以完结保护。

　　现在，深国安该计划已经过 SGS、CNAS 等权威认证，适配 3nm-90nm 不同制程的 CVD 工艺。未来，深国安还将结合 AI 算法优化，进一步完结氢气浓度与 CVD 工艺参数的智能匹配，为半导体工业高水平开展筑牢安全防地。